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회사 뉴스 SK 하이닉스는 1c DRAM 생산에 새로운 광 저항을 사용할 것입니다.

SK 하이닉스는 1c DRAM 생산에 새로운 광 저항을 사용할 것입니다.

2024-12-30

DRAM 소형화가 계속 진행됨에 따라 SK 하이닉스 및 삼성전자와 같은 회사는 새로운 재료의 개발 및 응용에 초점을 맞추고 있습니다.
TheElec에 따르면 SK 하이닉스는 Inpria의 차세대 금속 산화물 광 저항 (MOR) 을 6세대 (1c 프로세스, 약 10nm) DRAM의 생산에 사용할 계획입니다.DRAM 대량 생산 과정에 MOR가 처음으로 적용되었습니다..

SK 하이닉스의 대량 생산 1c DRAM에는 5 개의 극한 자외선 (EUV) 층이 있으며, 그 중 하나는 MOR을 사용하여 그려질 것입니다."SK 하이닉스 뿐만 아니라 삼성전자도 이런 비 유기 PR 물질을 추구할 것입니다."라고 덧붙였다.

인피리아는 일본 화학 회사 JSR의 자회사이며 무기 광 저항 분야에서 선도적입니다.MOR는 현재 첨단 칩 리토그래피에 사용되는 차세대 화학적으로 증폭 된 광 저항 (CAR) 으로 간주됩니다..

또한 회사는 SK 하이닉스와 함께 2022년부터 MOR 연구를 진행하고 있습니다.SK 하이닉스는 이전에 Sn (기본) 산화물 광 저항의 사용이 차세대 DRAM의 성능을 향상시키고 비용을 줄이는 데 도움이 될 것이라고 말했습니다..

TheElec의 보고서는 삼성전자 또한 1c DRAM에 MOR를 적용하는 것을 고려하고 있으며 현재 삼성전자는 1c DRAM에 6~7개의 EUV 레이어를 적용하고 있습니다.미크론은 한 층만 적용합니다..

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